| 专利名称 | 半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法 | 申请号 | CN201110416220.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102495043A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘争晖;徐耿钊;钟海舰;樊英民;曾雄辉;周桃飞;邱永鑫;王建峰;徐科 | 主分类号 | G01N21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/66(2006.01)I;G01Q60/24(2010.01)I | 专利有效期 | 半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法 至半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，本发明可以屏蔽杂散光对测量结果的影响，提供较优的信噪比。 |
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