| 专利名称 | BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途 | 申请号 | CN200910092080.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102021640A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;岳银超;王佳诺 | 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途 至BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体，其化学式为BaAlBO3F2，属六方晶系，空间群为晶胞参数为β＝120°，z＝2；其生长方法为：将所需的各种化合物按摩尔比混合，充分研磨，放入马弗炉中加热熔化，然后直接取出放在室温下冷却，制得氟硼酸钡铝化合物；把此化合物放入晶体生长炉中，升温熔化；采用顶部籽晶法，将籽晶接触液面，在饱和温度点缓慢降温进行晶体生长，待晶体长到所需尺寸时，将晶体提离液面，以不大于10℃的降温速率降温至室温，得到本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体；该晶体物化性质稳定，不潮解，硬度大，加工性能好，三倍频转化效率高，可用其制作非线性光学器件。 |
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