| 专利名称 | 微电极阵列传感器 | 申请号 | CN201110430312.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102495121A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汤戎昱;裴为华;归强;李雷;陈弘达 | 主分类号 | G01N27/403(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/403(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I | 专利有效期 | 微电极阵列传感器 至微电极阵列传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。 |
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