| 专利名称 | 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法 | 申请号 | CN201110403893.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102494988A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌 | 主分类号 | G01N17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N17/00(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法 至一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。 |
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