| 专利名称 | GaN基薄膜芯片的制造方法 | 申请号 | CN201110430261.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102496667A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘硕;郭恩卿;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 专利有效期 | GaN基薄膜芯片的制造方法 至GaN基薄膜芯片的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层粘合第二临时基板，并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层，露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。 |
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