| 专利名称 | 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201010574384.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102487123A | 公开（授权）日 | 2012.06.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;刘明;刘琦;吕杭炳;陈宝钦;牛洁斌;王艳花;张康玮 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法 至一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种利用HSG电子抗蚀剂的纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法，该存储器主要包括：第一导电电极、由HSQ电子束抗蚀剂经电子束曝光和显影后形成的通孔及第一阻变材料、第二阻变材料、第二金属纳米层、第三阻变材料、第三导电电极。利用HSQ电子束抗蚀剂曝光显影后留下的部分作为通孔，通孔的直径可小至纳米量级，通孔底部未完全显影掉的HSQ电子束抗蚀剂可作为阻变材料的一部分或全部。利用本发明，可获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，而且这种半导体存储器易于大规模集成和实用化。 |
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