| 专利名称 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 | 申请号 | CN03102064.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1430293 | 公开（授权）日 | 2003.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 阎东航;张坚;王军;王海波;严铉俊 | 主分类号 | H01L51/20 | IPC主分类号 | H01L51/20;H01L51/40 | 专利有效期 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 至含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有 机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，在衬底(1)上形成栅电极 (2)，在衬底(1)和栅电极(2)上形成栅绝缘层(3)，在栅绝缘层(3) 上形成第一半导体层(4)，在第一半导体层(4)上形成源/漏电级 (5)，在第一半导体层(4)和源/漏电极栅(5)上形成第二半导体层 (6)。 |
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