| 专利名称 | 一种弯曲形压电单晶片的制备方法 | 申请号 | CN201110283540.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290527A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 罗豪甦;许春东;王东;任博;赵祥永;徐海清;林迪;王升;狄文宁;李晓兵;梁柱 | 主分类号 | H01L41/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种弯曲形压电单晶片的制备方法 至一种弯曲形压电单晶片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种弯曲形压电单晶片的制备方法，该方法是首先选取基底材料，按所需尺寸切割；然后制作弯曲模具，采用冲压加工工艺，制得具有所需弯曲度和弯曲形状的基底材料；采用粘结剂将已极化的压电材料粘接在弯曲的基底材料的凸面上；将样品放入四角带定位孔的两平行金属板之间，施加压力，使弯曲基底材料的下表面与金属板完全接触，再用螺钉固定金属板；放入烘箱中固化；最后自然冷却至室温后取出即可。本发明的制备方法可以在低温下操作，最高制备温度只有100℃，且不需要对压电材料进行二次极化，还可以根据需要改变基底材料的弯曲度和弯曲形状。 |
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