| 专利名称 | 一种薄GOI晶片及其制备方法 | 申请号 | CN201110282849.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290369A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;卞剑涛;姜海涛;薛忠营 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种薄GOI晶片及其制备方法 至一种薄GOI晶片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法，本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法，使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内，并结合SmartCut技术，实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底的制备，该GOI衬底结合了Ge材料和SOI材料的双重特点，所形成的器件具有载流子迁移率高、寄生电容低、耐辐射效应强及简化器件隔离等特点，并且通过本方法可以制备出带有应变或完全弛豫的GOI层，以满足不同器件的需要。本发明的制备方法工艺简单，可用于大规模的工业生产。 |
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