| 专利名称 | 一种SRAM存储器 | 申请号 | CN201110152820.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290097A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 闫浩;王东辉;洪缨;侯朝焕 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SRAM存储器 至一种SRAM存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管(P1-P6)、第一至第四N型MOS管(N1-N4)构成的存储单元。所述第三P型MOS管(P3)和第四P型MOS管(P4)的栅极均与字线非信号相连，所述第三P型MOS管(P3)通过其源极和漏极连接于第一访问节点(A)和第一存储节点(Q)之间，所述第四P型MOS管(P4)通过其源极和漏极连接于第二访问节点(B)和第二存储节点(NQ)之间。所述第五P型MOS管(P5)的漏极与所述第一N型MOS管(N1)的漏极连接，所述第六P型MOS管(P6)的漏极与所述第二N型MOS管(N2)的漏极连接。本发明能够有效的降低静态的漏电电流从而降低整体的功耗，并且极大的增强了存储单元的稳定性。 |
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