| 专利名称 | 剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料 | 申请号 | CN02160742.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1424754 | 公开（授权）日 | 2003.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 董业民;陈猛;王曦;王湘;陈静;林梓鑫 | 主分类号 | H01L21/84 | IPC主分类号 | H01L21/84 | 专利有效期 | 剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料 至剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的 方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火， 其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻 挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×1017～7.0×1017cm－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(1017cm－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。 |
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