| 专利名称 | 单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法 | 申请号 | CN02151296.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1415968 | 公开（授权）日 | 2003.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;黄树森;王跃林 | 主分类号 | G01P15/12 | IPC主分类号 | G01P15/12 | 专利有效期 | 单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法 至单片集成的直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压 阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁 对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉 直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作 为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过 保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、 微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI 材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上 制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×105g)，具有高灵度、高带宽的特点。 |
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