| 专利名称 | 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法 | 申请号 | CN201110198260.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102243993A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 何巍;陆书龙;董建荣;杨辉 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法 至一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法。这种生长GaInP化合物半导体的方法步骤包括：选取Ge衬底置于无残余Ga和In的反应腔室中，然后向反应腔室中通入P2，并加热Ge衬底至600-700℃，使其表面覆盖一层P原子，最后将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室中通入Ga和In，生长GaInP化合物半导体。本发明的有益效果是：在高温下通入P2不存在原子堆积现象，不改变Ge衬底表面的台阶分布，有利于抑制反相筹等缺陷的产生。另一方面控制生长过程在较低温度下进行，避免原子在异质界面间的互扩散，得到高质量的Ge/GaInP异质结结构半导体。 |
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