| 专利名称 | 内插式超导接头电阻测量装置 | 申请号 | CN201110091910.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102243273A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 陈顺中;王秋良;程军胜 | 主分类号 | G01R27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/02(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I;H01F6/00(2006.01)I;H01F36/00(2006.01)I | 专利有效期 | 内插式超导接头电阻测量装置 至内插式超导接头电阻测量装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种内插式超导接头电阻测量装置，包括罐内样品室和罐外操作区两部分。罐内样品室由超导互感器(1)、磁场测量座(2)、背场超导磁体(4)组成。测量时，超导接头(12)置于背景超导磁体(4)的内孔中，由背景超导磁体(4)产生背景磁场；超导接头样品的单匝感应环(13)套扎在超导互感器(1)线圈的外层，由超导互感器(1)给超导接头样品中感应出电流；超导接头样品的单匝测量环(14)镶嵌在磁场测量座(2)中间凹槽中，由放置在磁场测量座(2)中心孔内的磁场测量探头测量超导接头单匝测量环(14)中心磁场的大小，计算出超导接头样品中的电流。工作时，罐内样品室完全插入到液氦储藏罐(15)内在液氦中浸泡冷却。 |
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