| 专利名称 | 阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201110177712.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102244145A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司 | 发明（设计）人 | 周春兰;王文静;李涛;宋洋;李友忠;段野;郜志华 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C28/04(2006.01)I | 专利有效期 | 阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用 至阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种阻止过镀的双层薄膜，其紧邻硅衬底前表面的一层为氧化硅或氮化硅薄层，在所述的氧化硅或氮化硅薄层上面的一层为含碳的硅氧化合物薄层，所述的含碳的硅氧化合物薄层中碳的原子含量为5-10％，折射系数为1.3-1.4，厚度为20-200nm。所述的双层薄膜制备方法，在清洗后的硅衬底的前表面沉积氧化硅或氮化硅薄层，再在薄层上喷涂或者旋涂聚硅氧烷基电介质溶液，经退火得到所述的双层薄膜。包括所述的双层薄膜的硅太阳能电池，从其太阳光照射面，即前表面起向下排列顺序依次为：双层薄膜、前电极、n+发射极、p型硅区域、局域背电场p+、背电极。 |
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