| 专利名称 | 一种易于填充的沟槽电容及其制备方法 | 申请号 | CN201110176559.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102244107A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王惠娟;万里兮;李宝霞;赵宁 | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种易于填充的沟槽电容及其制备方法 至一种易于填充的沟槽电容及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构，不用借助特殊的沉积设备，填充效果满足对高可靠性器件的要求，可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。 |
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