| 专利名称 | 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110183539.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102244030A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法 至一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种绝缘体上硅二极管器件的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层、位于该基底层之上的埋氧层、以及位于该埋氧层之上的器件层；刻蚀部分所述器件层形成沟槽，并在所述沟槽内形成第一浅沟槽隔离；在所述第一浅沟槽隔离下方的器件层内形成第一型区域，在所述第一型区域两侧的器件层内分别形成第一型注入区域以及第二型注入区域，其中，所述第一型注入区域和第二型注入区域的注入剂量大于所述第一型区域的注入剂量。相应地，本发明还提供一种绝缘体上硅二极管器件。本发明不但避免了寄生电容以及侧向pn结的存在，还可以有效地防止二极管器件的pn结被接触层短接，且工艺简单，与目前主流CMOS工艺技术相兼容。 |
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