| 专利名称 | 有机薄膜晶体管及制备方法 | 申请号 | CN02130962.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1409417 | 公开（授权）日 | 2003.04.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 阎东航;袁剑峰 | 主分类号 | H01L51/20 | IPC主分类号 | H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 | 专利有效期 | 有机薄膜晶体管及制备方法 至有机薄膜晶体管及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种有机薄膜晶体管，包括衬底(1)、在衬底(1) 上形成的栅极(2)，在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成 源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)及漏电极(6)上形成半导体 有源层(7)，绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层(3)和第二绝缘 层(4)。本发明在不增加光刻等常规复杂工艺仅增加旋涂或蒸镀 第二层绝缘膜和自对准干法刻蚀两步简单工序的情况下，就可 以改善载流子的注入特性从而提高OTFT器件的性能，而且还 可以阻断栅绝缘膜的漏电流、降低器件的寄生电容。这样，既 可以采用高介电材料作为栅绝缘层，增大沟道电容，降低器件 的开启电压，同时，降低栅源和栅漏漏电流对器件的不利影响。 |
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