| 专利名称 | 一种氮化氧化膜的制备方法 | 申请号 | CN02147232.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1404113 | 公开（授权）日 | 2003.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;侯瑞兵;高文方;韩郑生 | 主分类号 | H01L21/316 | IPC主分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/473 | 专利有效期 | 一种氮化氧化膜的制备方法 至一种氮化氧化膜的制备方法 | 法律状态 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 说明书摘要 | 一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅 衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前 氧化膜，然后对有源区进行14N+注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N2保护下550℃进舟，慢推，大流量N2保护；升温至700－900℃，N2恒温；同一温度下，N2/O2＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N2气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N2保护下降温至550℃，再在大流量N2保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。 |
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