| 专利名称 | 一种异质结势垒变容管及其制备方法 | 申请号 | CN201010543264.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468345A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董军荣;黄杰;田超;杨浩;张海英 | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种异质结势垒变容管及其制备方法 至一种异质结势垒变容管及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法，属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构，以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构，三个台阶结构上覆盖有介质层，介质层上设有引线和PAD。本发明异质结势垒变容管中PAD处在衬底层与接触金属形成台阶上，连接引线采用爬坡形式将PAD与阴阳极分别连接，避免了复杂的空气桥结构，制作简便，易于实现。 |
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