| 专利名称 | 晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201010532050.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468164A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体管及其制造方法 至晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少一个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。 |
1、源头对接，价格透明
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