| 专利名称 | 一种闪存器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010162280.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237365A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 专利有效期 | 一种闪存器件及其制造方法 至一种闪存器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，该器件包括：半导体衬底；栅堆叠，形成于所述半导体衬底之上；沟道区，位于所述栅堆叠之下；侧墙，位于所述栅堆叠外侧；以及源/漏区，位于所述沟道区外侧；其中，所述栅堆叠包括：第一栅介质层，位于所述沟道区之上；第一导电层，覆盖所述第一栅介质层的上表面和侧墙的内壁；第二栅介质层，覆盖所述第一导电层的表面；第二导电层，覆盖所述第二导电层的表面。本发明的实施例适用于闪存器件的制造。 |
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