| 专利名称 | 以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 申请号 | CN201010157538.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102237269A | 公开（授权）日 | 2011.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 至以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势垒层、硅栅层和硬掩膜层；对形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势垒层、硅栅层和硬掩膜层的半导体衬底进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶，以硬掩膜为掩蔽，采用干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；采用干法刻蚀工艺对AlN势垒层、Mo基金属栅和高K介质进行各向异性刻蚀。利用本发明，通过优化AlN势垒层、Mo基金属栅和高K介质叠层结构的刻蚀工艺不仅得到陡直的刻蚀剖面，而且对Si衬底的损耗很小，为实现高K金属栅的集成提供了必要保证。 |
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