| 专利名称 | 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法 | 申请号 | CN02129458.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1398004 | 公开（授权）日 | 2003.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 阎东航;王军;张坚 | 主分类号 | H01L29/772 | IPC主分类号 | H01L29/772;H01L21/335;H01L51/00 | 专利有效期 | 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法 至含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种含有有机半导体的夹心型场效应晶体管，包 括衬底(1)，在衬底(1)上形成栅电极(2)，栅绝缘层(3)形成在 衬底(1)和栅电极(2)上，其特征在于有源层(4)形成在栅绝缘 层(3)上，并露出部分绝缘层(3)，源/漏电级(5)形成在部分 有源层(4)和部分栅绝缘层(3)上，有源层(6)形成在露出的栅 绝缘层(3)、有源层(4)、源电极和漏电极栅(5)上。本发明充 分发挥有机半导体低温加工的优点，采用两种或两种以上 材料共同构成有源半导体层，增强有源层与源和漏电极有 效接触，降低器件的阈值电压，并且半导体和源漏电极能够与 绝缘层牢固连接。 |
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