| 专利名称 | 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法 | 申请号 | CN02112412.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1396642 | 公开（授权）日 | 2003.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 齐鸣;李爱珍;赵智彪 | 主分类号 | H01L21/66 | IPC主分类号 | H01L21/66 | 专利有效期 | 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法 至异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的 位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力 显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层 的位错密度；其具体测定步骤是：(1)先按照异丙醇、丙酮、乙 醇的顺序对GaN样品进行化学清洗清洗后用大量去离子水洗净，用高纯N2吹干；(2)将样品用石蜡或夹子固定在载玻片上，放入盛有1－10M KOH溶液中，采用磁子搅拌，在Cd－He激光器提供的激光照射下，进行湿法刻蚀，时间为5－10分钟；(3)取出刻蚀样片，用去离子水清洗，高纯N2吹干，然后用原子力显微镜，进行刻蚀表面的位错腐蚀坑统计，估算出GaN外延层的位错密度。本发明提供的位错密度测定方法可靠、有效，与其它方法，如XRD位错密度估算方法相比，一致性好。 |
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