| 专利名称 | 一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法 | 申请号 | CN01114026.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1389597 | 公开（授权）日 | 2003.01.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 卢磊;卢柯 | 主分类号 | C25C1/12 | IPC主分类号 | C25C1/12;C22F1/08;H01B1/02 | 专利有效期 | 一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法 至一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高强度高导电性纳米晶体铜材料,密度为8.91±0.03g/cm3,纯度达99.995±0.003wt%,晶粒尺寸5～80nm,电导率g达80～99%LACS,断裂强度达200～600MPa,晶粒之间的取向差为1～35°,变形量为0～5100％； 其制备方法:1)利用电解沉积技术制备三维块状纳米晶体铜材料;2)制备高强度高导电性纳米晶体铜材料:将上述电解沉积纳米金属铜材料在室温下冷轧,变形速率为1×10－3～1×10－2/s。它具有高强度又有高导电性。 |
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