| 专利名称 | 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法 | 申请号 | CN02110920.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1383189 | 公开（授权）日 | 2002.12.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈猛;王湘;王曦;陈静;林梓鑫 | 主分类号 | H01L21/108 | IPC主分类号 | H01L21/108 | 专利有效期 | 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法 至一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘 层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子, 注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构 的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成后, 退火气氛是高纯氩气中含有一定浓度高纯氧气。600℃保持30 分钟,1000℃保持1小时,在1300～1350℃经过5～10小时保 温;(3)退火降温制度是1200℃以上降温速率为15℃/min,1200～ 1000℃为20℃/min,1000～700℃为30℃/min。注入剂量与能量 配匹关系为D=(0.025～0.035)×E+(0.25～0.35),用本发明提供 的方法制备材料顶层硅缺陷密度低、埋层针空密度小,从而提高 了低剂量SIMOX材料质量和产量。 |
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