| 专利名称 | 发光二极管封装结构 | 申请号 | CN201110198226.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102255034A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 专利有效期 | 发光二极管封装结构 至发光二极管封装结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。 |
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