| 专利名称 | 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 | 申请号 | CN201110192523.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254821A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;徐大伟;王中健;夏超;曹铎;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/334(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/334(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 专利有效期 | 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 至基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质层以形成多个分别堆叠于各该硅岛上的高k栅介质岛，然后在该硅岛及高k栅介质岛上沉积电极薄膜层；最后刻蚀该电极薄膜层，以形成多个上电极及下电极，且使上电极分别堆叠于各该高k栅介质岛上、下电极形成于硅岛的表面上，以便在SOI材料上验证高k栅介质电学特性时，测量上、下电极的电容-电压特性可以不用考虑由于隐埋氧化层的存在而引起的附加电容，进而快速准确的对SOI衬底上高K栅介质进行研究。 |
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