| 专利名称 | 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器 | 申请号 | CN02111212.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1376925 | 公开（授权）日 | 2002.10.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;宋朝辉;王跃林 | 主分类号 | G01P15/08 | IPC主分类号 | G01P15/08;H01L49/00 | 专利有效期 | 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器 至深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深 沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上 的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传 感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘,还采用了在 DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。这种制作 方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的 检测从而实现较高灵敏度。同时还克服了(1)采用硅片倾斜方向 离子注入的繁琐和不适合批量制造;(2)为实施倾斜离子注入预 留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能二个缺点。具 有制造工艺简单、构思巧妙并适合批量生产各种量程的加速度 传感器,同时可以应用到多种压阻惯性传感器技术中,具有广泛 的应用前景。 |
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