| 专利名称 | 一种半导体结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010185025.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254914A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其形成方法 至一种半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构及其形成方法，该结构包括：半导体衬底，以及形成于所述半导体衬底上的nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和pMOSFET区上分别形成有nMOSFET结构和pMOSFET结构；所述nMOSFET结构包括：第一沟道区，形成于所述nMOSFET区上；以及第一栅堆叠，形成于所述第一沟道区上方；其中所述nMOSFET结构上覆盖有压应力材料以给所述第一沟道区提供拉应力；所述pMOSFET结构包括：第二沟道区，形成于所述pMOSFET区上；以及第二栅堆叠，形成于所述第二沟道区上方；其中所述pMOSFET结构上覆盖有拉应力材料以给所述第二沟道区提供压应力。本发明的实施例适用于半导体的应力工程。 |
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