| 专利名称 | 一种半导体结型二极管器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010183446.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254818A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结型二极管器件及其制造方法 至一种半导体结型二极管器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结型二极管器件结构及其制造方法，所述二极管器件结构的栅极直接形成于衬底上，在半导体衬底内形成PN结，并在栅极上形成第一接触，在栅极两侧的掺杂区上形成第二接触，所述第一和第二接触充当二极管器件的两极，这种结构的二极管器件所用的面积小，而且其形成工艺可以集成于MOSFET器件的后栅集成工艺中，不需要额外的掩膜和费用，具有很高的集成度。 |
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