| 专利名称 | 新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途 | 申请号 | CN201110349625.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102383196A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 叶宁;林新松 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途 至新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种新型非线性光学晶体硫化镓锗钡及其生长方法与用途，其化学式为BaGa2GeS6（简称BGGS）。其化学式为BaGa2GeS6，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)?，b=9.5967(5)?，c=8.6712(7)?，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62?3。它的倍频系数是AgGaS2的0.8倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGS化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGS单晶体。BaGa2GeS6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。 |
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