| 专利名称 | 制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法 | 申请号 | CN201110215676.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386123A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;张鹏;曹共柏 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法 至制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障