| 专利名称 | 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 | 申请号 | CN201110215670.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386068A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I | 专利有效期 | 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 至锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。 |
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