| 专利名称 | 一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺 | 申请号 | CN201010258142.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102375332A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴紫阳;杨恒;李昕欣;王跃林 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺 至一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺，首先将自组装方法制作的光刻胶薄膜粘覆转移于存在沟槽或间隙的半导体材料表面形成平整的悬架光刻胶结构，曝光显影以选择性去除不需要部位的光刻胶膜并坚膜，之后在室温条件下在光刻胶表面沉积金属或其它半导体材料层以实现其结构的平坦化工艺，最后对沉积的材料层刻蚀形成结构和图形。该方法有别于传统的平坦化工艺，利用自组装的方法将平坦化和光刻工艺结合在了一起，方法简单、材料节约、成本低廉、对设备要求低。 |
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