| 专利名称 | 基于霍尔效应的MOS晶体管 | 申请号 | CN201010259644.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376872A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | 专利有效期 | 基于霍尔效应的MOS晶体管 至基于霍尔效应的MOS晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向。本发明的基于霍尔效应的MOS晶体管在导通时，加载的磁场可以使得导电沟道中运动的多数载流子向远离栅极的方向偏转，而所述多数载流子的偏转会使得MOS晶体管靠近漏极的导电沟道截面扩展，从而有效降低了漏极的寄生电阻。 |
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