| 专利名称 | 一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜 | 申请号 | CN201010259764.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376345A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 于国强;魏红祥;詹文山;韩秀峰 | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜 至一种用于磁随机存取存储器的磁性多层膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种磁性多层膜及其MRAM存储单元。其中，磁性多层膜包括用于产生TMR效应的MTJ多层膜和位于该MTJ多层膜以下的用于产生GMR效应的GMR多层膜，其中MTJ多层膜和GMR多层膜共用自由层，其中所述GMR多层膜的相邻于MTJ多层膜一侧的至少一部分被暴露，穿过该暴露部分的电流用于翻转所述自由层磁矩。采用本发明的磁性多层膜可以有效降低器件使用时的功耗，同时避免存储单元在高密度电流反复无限次写入时造成势垒的损坏和存储单元的失效，达到长寿命的目的。 |
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