| 专利名称 | SiC肖特基二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201110380007.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376779A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 专利有效期 | SiC肖特基二极管及其制作方法 至SiC肖特基二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。 |
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