| 专利名称 | 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法 | 申请号 | CN201010251985.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102375896A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法 至一种SOINMOS总剂量辐照建模方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种SOI?NMOS总剂量辐照建模方法，属于提参建模技术领域。所述方法包括：获取SOI?NMOS辐照前模型参数，并在模型参数中加入与总剂量相关的参数，形成含有未知参数的SOI?NMOS总剂量辐照模型；获取SOINMOS总剂量辐照模型中未知参数的数值，形成最终的总剂量辐照模型。通过本发明的建模方法，使得总剂量辐照模型更加全面可靠；另外，本发明还实现了对新加模型参数提取的自动化，使得复杂的提参建模变得更加简单和高效。 |
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