| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010250698.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376686A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;赵超;韩锴;马雪丽;陈大鹏 | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括：半导体衬底以及其上的栅极区；形成于所述栅极区两侧的半导体衬底内的源/漏区；形成于所述栅极区两侧衬底上的层间介质层；形成于层间介质层内的接触孔以及形成于所述接触孔内、源/漏区上的接触塞，其中所述接触塞包括催化金属颗粒和其上的碳纳米管；形成于接触孔内壁与接触塞之间的阻挡扩散层。这种结构不仅可以有效地减小MOS器件中的接触塞电阻，增加接触塞和下部材料的黏着性并达到增强其附着力的目的，同时，还能减少用于碳纳米管生长的催化金属纳米颗粒向源漏极接触区的扩散。 |
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