| 专利名称 | 半导体器件结构的制造方法及其结构 | 申请号 | CN201010258369.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376551A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构的制造方法及其结构 至半导体器件结构的制造方法及其结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体器件结构的制造方法及其结构，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述半导体衬底形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线；其中，在形成所述沟道区之前，所述方法进一步包括：对所述半导体衬底进行源/漏区注入。该方法通过在沟道区和栅堆叠形成之前以自对准的方式形成源/漏区，以实现不必借助牺牲栅而达到替代栅工艺的有益效果，有利于简化工艺、降低成本。 |
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