| 专利名称 | 一种多晶硅薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201110108921.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102249553A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 万青;黄晋;龚骏;竺立强;李莉 | 主分类号 | C03C17/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/34(2006.01)I;C04B41/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多晶硅薄膜的制备方法 至一种多晶硅薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，该方法首先在衬底上沉积一层SiO2或SiNx颗粒膜作为过渡层，然后在所述的过渡层上在高温下采用化学气相沉积技术沉积一层厚度为10微米～100微米的致密的多晶硅薄膜，最后利用SiO2或SiNx颗粒膜的疏松性分离多晶硅薄膜和衬底。与现有技术相比，本发明使多晶硅薄膜和衬底相分离，衬底能够重复利用，极大地降低了衬底所带来的成本，同时由于多晶硅薄膜不需要衬底的支撑而被用于下一步工艺，避免了多晶硅薄膜应用领域中衬底对制作工艺的约束和限制，另外本发明的制备工艺简单，易于实现大规模工业化生产，在太阳能电池领域具有广阔的应用前景。 |
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