| 专利名称 | 提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用 | 申请号 | CN201110064346.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102255024A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 专利有效期 | 提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用 至提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成，每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊，每一凸起脊对应于多边形的一边，且相邻凸起脊之间由平面结构连接；该凸起脊的两端面为曲面，其纵向截面为曲边形结构，该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边，该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命，同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。 |
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