| 专利名称 | 基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110235828.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254969A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张东炎;郑新和;李雪飞;董建荣;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法 至基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层，该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区，该p型或n型区上覆设电流扩展层，该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极；该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化，制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题，也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题，使器件不仅具有纳米结构特性，而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性。 |
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