| 专利名称 | 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 | 申请号 | CN201010183450.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102254805A | 公开（授权）日 | 2011.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 至一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法，利用物理汽相淀积方法在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜，作为金属栅电极，然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Tb或Er或Yb或Sr等元素，通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应在高K栅介质与SiO2的界面上形成偶极子，达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性，工艺简单方便，调节金属栅功函数的能力强，与CMOS工艺兼容性很好。 |
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