| 专利名称 | 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法 | 申请号 | CN02116458.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1372336 | 公开（授权）日 | 2002.10.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 阎东航;袁剑峰 | 主分类号 | H01L51/20 | IPC主分类号 | H01L51/20;H01L51/40 | 专利有效期 | 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法 至一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于一种有机薄膜晶体管开关器件及制 作方法,含有遮光层的顶电极构型器件其源漏电极置于有机半 导体层之上,其中,栅极在基板上,绝缘层在栅极和基板上,有机 半导体层在绝缘层上,低介电有机光刻胶岛在有机层上,源极和 漏极在绝缘层和有机半导体层上,遮光层在光刻胶岛上;在基板 上溅射一层金属并光刻成栅电极;真空热蒸发有机半导体材料 作为有源层并光刻,采用干法RIE反应离子刻蚀成型;涂光刻胶, 以栅极为掩模用紫外光源从背面曝光;显影,真空热蒸发一层金 属形成源、漏电极,并在沟道上方同时形成遮光层。引进自对准 技术和剥离技术于有机晶体管的制造工艺中,使得器件的栅 源、栅漏交叠面积几乎为零,从而大大降低器件的栅源、栅漏寄 生电容。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障