| 专利名称 | 半导体和钛酸钡p－n结 | 申请号 | CN01104066.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1371136 | 公开（授权）日 | 2002.09.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕惠宾;颜雷;戴守愚;陈正豪;周岳亮;陈凡;谈国太;杨国桢 | 主分类号 | H01L49/00 | IPC主分类号 | H01L49/00;H01L29/12;H01L21/31;H01L21/3115 | 专利有效期 | 半导体和钛酸钡p－n结 至半导体和钛酸钡p－n结 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型 p－n结。本发明将n型BaAxTi1－xO3或Ba1－xLaxTiO3薄膜材料(其中A是Nb或Sb或Ta)或p型钛酸钡BaBxTi1－xO3(其中B是In或Ga或Mn,所有x的取值范围为0.005～0.5),与n型或p型半导体材料(选择硅或锗或砷化镓)进行叠层生长,制备成硅或锗或砷化镓和钛酸钡的p－n结、p－p结、n－n结、p－n－p结、n－p－n结等结构。本发明的制作工艺简单,稳定性好,可广泛应用于电子器件及探测器。 |
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