| 专利名称 | 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 | 申请号 | CN200910201331.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104048A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;罗杰馨;伍青青;宁冰旭;薛忠营;肖德元;王曦 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 至用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法。所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层；外延硅层的两侧为侧氧隔离墙，所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构；外延硅层的顶部左右两端分别为ESD保护结构的源漏区；外延硅层的顶部中心位置处向上生长有ESD保护结构的多晶硅栅；ESD保护结构的多晶硅栅与外延硅层之间夹有ESD保护结构的二氧化硅栅介质；ESD保护结构的多晶硅栅与ESD保护结构的二氧化硅栅介质的两侧设有侧氧隔离墙。本发明使泄露电流能够下沉至SOI衬底，且通过外延工艺使得ESD保护结构与有源区本征MOS管处于同一平面，这样便于后续工艺的处理。 |
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