| 专利名称 | 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 | 申请号 | CN200910311849.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104113A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;刘明;姬濯宇 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 至有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法，该方法包括：提供有机场效应晶体管；根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层；对有机场效应晶体管施加电压脉冲；经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源。通过本发明的上述技术方案，解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂，自由度低的问题，并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间，该方法自由度大，易于调整有机场效应晶体管。 |
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